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原子層沉積

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300萬-1000萬

產(chǎn)品規(guī)格:沉積超薄、無針孔和顆粒的膜層

公司所在地:重慶

產(chǎn)品庫存:現(xiàn)貨及定制

可供貨地區(qū):全國

其他說明:

原子層沉積(ALD)原理是通過在工藝循環(huán)周期內(nèi)分步向真空腔內(nèi)添加前驅(qū)體、實現(xiàn)對膜層厚度的精確控制,,此區(qū)別于普通 CVD 或PECVD原理,。

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原子層沉積(ALD)原理是通過在工藝循環(huán)周期內(nèi)分步向真空腔內(nèi)添加前驅(qū)體,、實現(xiàn)對膜層厚度的精確控制,,此區(qū)別于普通 CVD 或PECVD原理。收起

品牌:
SENTECH
功能:
沉積超薄,、無針孔及顆粒的膜層
用途范圍:
納米科技,、微系統(tǒng)應(yīng)用,、器件鈍化等
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